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功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（功率MOSFET，常簡寫為功率MOS）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及功率集成電路（power IC，常簡寫為PIC）為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作，而電路在高頻工作時能更節能、節材，能大幅減少設備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統（power system on a chip，簡寫PSOC），它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上，使其具有按照負載要求精密調節輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進行保護的智能功能。國際專家把它的發展喻為第二次電子學革命。
